型號：BSB012N03LX3 G
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：3-WDSON
描述：MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：39A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 毫歐 @ 30A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：169nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：16900pF @ 15V
功率_最大：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：3-WDSON
供應商設備封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?
包裝：剪切帶 (CT)
廠 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：n-Channel Power MOSFET
大 小：1553K
QQ：5645336 復制
