型號：BSC200P03LS G
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：8-PowerTDFN
描述：MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：12.5A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 12.5A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.2V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：48.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2430pF @ 15V
功率_最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-PowerTDFN
供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：n-Channel Power MOSFET
大 小：1574K
QQ：5645336 復制
