型號：BSO200N03
類別：FET - 陣列
制造商：Infineon Technologies
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8
系列：OptiMOS™
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 7.9A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2V @ 13µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V
功率_最大：1.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：PG-DSO-8
包裝：Digi-Reel®
廠 商：INFINEON [ INFINEON ]
描 述：OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET
大 小：342K
QQ：5645336 復制
