型號:BSP295E6327
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-261-4,TO-261AA
描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
系列:SIPMOS®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.8A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 1.8A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:1.8V @ 400µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:368pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:PG-SOT223-4
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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