型號:BSS205N H6327
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.5A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫歐 @ 2.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:1.2V @ 11µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:419pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:PG-SOT23-3
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:SIEMENS [ SIEMENS SEMICONDUCTOR GROUP ]
描 述:SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
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