型號:BSZ018NE2LS
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:8-PowerTDFN
描述:MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:23A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 12V
功率_最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:n-Channel Power MOSFET
大 小:1460K