RS1E260ATTB1 制造商: ROHM Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HSOP-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 175 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 320 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 78 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 350 ns
典型接通延遲時間: 26 ns
單位重量: 771.020 mg