型號：CSD86311W1723
類別：FET - 陣列
制造商：Texas Instruments
封裝：12-UFBGA，DSBGA
描述：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
系列：NexFET™
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 2A，8V
Id時的Vgs333th444111最大222：1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：585pF @ 12.5V
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：12-UFBGA，DSBGA
供應商設備封裝：12-DSBGA（2.43x1.96）
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：FARADAY [ Faraday Technology ]
描 述：SERIAL DIGITAL CONVERTER CARDS
大 小：59K
