型號：DMN100-7
類別：FET - 單
制造商：Diodes Inc
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.1A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 1A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 10V
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SC-59-3
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
大 小：65K
QQ：373621633 復制
