型號:DMN2300UFB4-7B
類別:FET - 單
制造商:Diodes Inc
封裝:3-XFDFN
描述:MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 300mA,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:64.3pF @ 25V
功率_最大:470mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:3-XFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006H4(1.0x0.6)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
大 小:65K