型號：EFC4612R-TR
類別：FET - 單
制造商：ON Semiconductor
封裝：4-XBGA，4-FCBGA
描述：MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：24V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3A，4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222：1.3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：4-XBGA，4-FCBGA
供應商設備封裝：EFCP1313-4CC-037
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：ETC [ ETC ]
描 述：Low Distortion GaAs Power FET
大 小：27K
QQ：5645336 復制
