型號:EPC1012
類別:FET - 單
制造商:EPC
封裝:4-LGA
描述:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
系列:eGaN®
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.9nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 100V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:4-LGA
供應商設備封裝:4-LGA(1.7x0.9)
包裝:Digi-Reel®
廠 商:TDK [ TDK Electronics ]
描 述:Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores
大 小:297K