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詳細參數

型號：EPC1001

類別：FET - 單

制造商：EPC

封裝：模具剖面（11 焊條）

描述：TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

系列：eGaN®

FET型：GaNFET N 通道，氮化鎵

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：25A

開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 25A，5V

Id時的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 5mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 50V

功率_最大：-

安裝類型：表面貼裝

封裝__外殼：模具剖面（11 焊條）

供應商設備封裝：模具剖面（11 焊條）

包裝：剪切帶 (CT)

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廠商：TDK [ TDK Electronics ]

描述：Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores

大小：297K

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