型號：EPC1001
類別：FET - 單
制造商：EPC
封裝：模具剖面（11 焊條）
描述：TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
系列：eGaN®
FET型：GaNFET N 通道，氮化鎵
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：25A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 25A，5V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 5mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 50V
功率_最大：-
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：模具剖面（11 焊條）
供應商設備封裝：模具剖面（11 焊條）
包裝：剪切帶 (CT)
廠 商：ETC [ ETC ]
描 述：Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices
大 小：552K
QQ：5645336 復制
