型號:FDB6021P
類別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:28A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫歐 @ 14A,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1890pF @ 10V
功率_最大:37W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-263AB
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET
大 小:82K