型號：FDB6021P
類別：FET - 單
制造商：Fairchild Semiconductor
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
描述：MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
系列：PowerTrench®
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 14A，4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1890pF @ 10V
功率_最大：37W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：TO-263AB
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述：N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.4mヘ
大 小：634K
QQ：5645336 復制
