型號:FDI3632
類別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 80A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6000pF @ 25V
功率_最大:310W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:I2PAK
包裝:管件
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
大 小:274K