型號:FDM606P
類別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:8-MLP,MicroFET?
描述:MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.8A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫歐 @ 6.8A,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2200pF @ 10V
功率_最大:1.92W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-MLP,MicroFET?
供應商設備封裝:8-MLP,MicroFET(3x2)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Q-Class Power MOSFETs
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