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詳細參數

型號：FQB10N20CTM

類別：FET - 單

制造商：Fairchild Semiconductor

封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

系列：QFET™

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A

開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：360 毫歐 @ 4.75A，10V

Id時的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V

功率_最大：72W

安裝類型：表面貼裝

封裝__外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

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廠商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]

描述：200V N-Channel MOSFET

大小：813K

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