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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:FQB630TM
類別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 4.5A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D²PAK
包裝:帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:200V N-Channel MOSFET
大 小:813K
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單價/備注
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查詢更多FQB60N03L-NL供應信息         發布時間:1970/1/1 8:00:00

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