型號：FQB630TM
類別：FET - 單
制造商：Fairchild Semiconductor
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
系列：QFET™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 4.5A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
功率_最大：3.13W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：D²PAK
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述：200V N-Channel MOSFET
大 小：813K
QQ：5645336 復制
