型號:FQB6N80TM
類別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:800V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.8A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.95 歐姆 @ 2.9A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-263-2
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:200V N-Channel MOSFET
大 小:813K