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詳細參數

型號：FQB9N08LTM

類別：FET - 單

制造商：Fairchild Semiconductor

封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

系列：QFET™

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：80V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.3A

開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 4.65A，10V

Id時的Vgs333th444111最大222：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：280pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安裝類型：表面貼裝

封裝__外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

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廠商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]

描述：200V N-Channel MOSFET

大小：813K

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封裝

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經營產品：IC、二極管、三極管、場效應管、可控硅、固定電阻器、微調電位器、電位器、電容器、繼電器、壓電陶瓷元件、石英晶體器件、聲表面器件、開關、揚聲器、揚聲器配件、電子調諧器、連接器、保險絲、印刷線路板、顯示屏、變壓器、電源、傳感器、電感器、變頻器、逆變器、整流器、電子管、放大器、放電管、微波磁控管、光電子、電池、天線、儀器顯周網站www.ezone24.com

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