型號:FQD12N20TM_F080
類別:FET - 單
制造商:Fairchild Semiconductor
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 4.5A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:910pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:200V N-Channel MOSFET
大 小:806K