型號：FSS264-TL-E
類別：FET - 單
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
描述：MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 2A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：-
閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1560pF @ 20V
功率_最大：2.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOP
包裝：剪切帶 (CT)
廠 商：INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
描 述：9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
大 小：58K
QQ：5645336 復制
