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詳細參數

型號：GT10G131(TE12L,Q)

類別：IGBT - 單路

制造商：Toshiba

封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

描述：IGBT 400V 200A 8-SOIC

系列：-

IGBT類型：-

電壓_集電極發射極擊穿111最大222：400V

VgewwwwIc時的最大Vce111開222：2.3V @ 4V @ 200A

電流_集電極333Ic444111最大222：-

功率_最大：1W

輸入類型：標準

安裝類型：表面貼裝

封裝__外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）

包裝：帶卷 (TR)

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廠商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]

描述：Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A

大小：182K

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