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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:GT10G131(TE12L,Q)
類別:IGBT - 單路
制造商:Toshiba
封裝:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
描述:IGBT 400V 200A 8-SOIC
系列:-
IGBT類型:-
電壓_集電極發射極擊穿111最大222:400V
VgewwwwIc時的最大Vce111開222:2.3V @ 4V @ 200A
電流_集電極333Ic444111最大222:-
功率_最大:1W
輸入類型:標準
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP(5.5x6.0)
包裝:帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
大 小:182K
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封裝
單價/備注
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查詢更多GT10PI120T5H-T4供應信息         發布時間:1970/1/1 8:00:00

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