型號:HAT2173N-EL-E
類別:FET - 單
制造商:Renesas Electronics America
封裝:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:25A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:15.3 毫歐 @ 12.5A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:6V @ 20mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:61nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4350pF @ 10V
功率_最大:30W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供應商設備封裝:8-LFPAK-iV
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:RENESAS [ RENESAS ]
描 述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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