型號:HAT2199R-EL-E
類別:FET - 單
制造商:Renesas Electronics America
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 5.5A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1060pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:RENESAS [ RENESAS ]
描 述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
大 小:117K