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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:HSG1002VE-TL-E
類別:RF 晶體管 (BJT)
制造商:Renesas Electronics America
封裝:4-SMD,鷗翼型
描述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
系列:-
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿111最大222:3.5V
頻率_轉換:38GHz
噪聲系數111dB典型值0a0頻率222:0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益:8dB ~ 19.5dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,2V
電流_集電極333Ic444111最大222:35mA
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:4-SMD,鷗翼型
供應商設備封裝:4-MFPAK
包裝:帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商:RENESAS [ RENESAS ]
描 述:SiGeHBT High Frequency Low Noise Amplifier
大 小:473K
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