型號：HTNFET-D
類別：FET - 單
制造商：Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
封裝：8-CDIP 裸露焊盤
描述：MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP
系列：HTMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：-
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 100mA，5V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.4V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.3nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 28V
功率_最大：50W
安裝類型：通孔
封裝__外殼：8-CDIP 裸露焊盤
供應商設備封裝：8-CDIP-EP
包裝：散裝
廠 商：HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
描 述：NON INSULATED TYPE TRIAC (TO-126 PACKAGE)
大 小：184K
QQ：2314353977 復制
