型號:IPB009N03L G
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:0.95 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:227nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:25000pF @ 15V
功率_最大:250W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
供應商設備封裝:PG-TO263-7
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS3 Power Transistor
大 小:512K