型號:IPB100N04S2-04
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫歐 @ 80A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:172nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5300pF @ 25V
功率_最大:300W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-3
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS3 Power-Transistor
大 小:1050K