型號：IPB100N04S2-04
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 80A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：172nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5300pF @ 25V
功率_最大：300W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：PG-TO263-3
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOS3 Power Transistor
大 小：512K
QQ：5645336 復制
