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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:IPB80N06S2L-09
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8.2 毫歐 @ 52A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2V @ 125µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2620pF @ 25V
功率_最大:190W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-3
包裝:帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS Power-Transistor
大 小:164K
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封裝
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主要從事半導體元器件(集成電路IC和電子元器件)XILINX(賽靈思)、ALTERA(阿爾特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(鎂光)、SK HYNIX(海力士)產品的銷售、研發,
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ST ON TI NS VISHAY NXP AD MAX 等品牌,二三極管 歡迎新老客戶來電查詢
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2500
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IC電子元器件批發 零售
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26400
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20+
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35500
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