型號:IPB80N06S2L-09
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8.2 毫歐 @ 52A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2V @ 125µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2620pF @ 25V
功率_最大:190W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-3
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS Power-Transistor
大 小:164K