型號:IPD025N06N
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSF N CH 60V 26A TO252-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:26A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 毫歐 @ 90A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.8V @ 95µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5200pF @ 30V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252-3
包裝:散裝
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS?3 Power-Transistor
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