型號：IPD025N06N
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
描述：MOSF N CH 60V 26A TO252-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：26A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 90A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.8V @ 95µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：5200pF @ 30V
功率_最大：3W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：TO-252-3
包裝：散裝
廠 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOS?3 Power-Transistor
大 小：316K
