型號:IPD60R750E6
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 2A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:3.5V @ 170µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:373pF @ 100V
功率_最大:48W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:600V CoolMOS E6 Power Transistor
大 小:2098K