型號:IPD600N25N3 G
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:25A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 90µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2350pF @ 100V
功率_最大:136W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:Digi-Reel®
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS?3 Power-Transistor
大 小:316K