型號:IPG15N06S3L-45
類別:FET - 陣列
制造商:Infineon Technologies
封裝:8-PowerTDFN
描述:MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
系列:OptiMOS™
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:15A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 10µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1420pF @ 25V
功率_最大:21W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:OptiMOS-T Power-Transistor
大 小:173K