型號：IPI020N06N
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
描述：MOSF N CH 60V 29A TO262-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 100A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.8V @ 143µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：7800pF @ 30V
功率_最大：3W
安裝類型：通孔
封裝__外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設備封裝：PG-TO262-3
包裝：散裝
廠 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
大 小：477K
