型號:IPI600N25N3 G
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
描述:MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:25A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 90µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2350pF @ 100V
功率_最大:136W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:PG-TO262-3
包裝:管件
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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