型號:IPL60R199CP
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:4-TSFN 裸露焊盤
描述:MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:650V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:16.4A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:199 毫歐 @ 9.9A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:3.5V @ 1.1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 100V
功率_最大:139W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:4-TSFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:PG-VSON-4
包裝:帶卷 (TR)