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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:IPP015N04N G
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:250nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:20000pF @ 20V
功率_最大:250W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:PG-TO220-3
包裝:管件
PDF 下載
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS?3 Power-Transistor
大 小:352K
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