型號:IPP80CN10N G
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 100V 13A TO-220
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 13A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 12µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:716pF @ 50V
功率_最大:31W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:PG-TO220-3
包裝:管件
廠 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS?3 Power-Transistor
大 小:352K