型號:IRC630PBF
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:TO-220-5
描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:電流感測
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 5.4A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
功率_最大:74W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:TO-220-5
供應商設備封裝:TO-220-5
包裝:管件
廠 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
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