型號:IRF640SPBF
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 11A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
功率_最大:130W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件
廠 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Power MOSFET
大 小:2165K