型號:IRF7319PBF
類別:FET - 陣列
制造商:International Rectifier
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N+P 30V 4.9A 8-SOIC
系列:HEXFET®
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A,4.9A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫歐 @ 5.8A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:管件
廠 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:HEXFET㈢ Power MOSFET
大 小:229K