型號:IRF7402TR
類別:FET - 單
制造商:International Rectifier
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.8A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4.1A,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:700mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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