型號:IRF7807VTR
類別:FET - 單
制造商:International Rectifier
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.3A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 7A,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
大 小:76K